Image

Институт перспективных материалов и технологий

О нас Образовательная деятельность Научно-инновационная деятельность Сотрудники Подразделения История

контакты

Об институте

AMT_logo_banner795x200white_web..png

Институт перспективных материалов и технологий (ПМТ НИУ МИЭТ) осуществляет образовательную и научно-исследовательскую деятельность в области получения и исследования новых материалов.

 В институте ведется подготовка специалистов для высокотехнологичных производств и исследовательских лабораторий, работающих в области создания материалов, технологий и устройств интегральной фотоники и лазерной оптики, высокочувствительной сенсорики и биосенсорики, нано- и микроэлектроники (инженерия (нано)материалов) , систем генерации и хранения энергии, техносферной безопасности. 

Документы

контакты

Институт ПМТ готовит квалифицированных специалистов, владеющих фундаментальными знаниями и практическими навыками в области материаловедения, нанотехнологий, техносферной безопасности для крупнейших предприятий нано- и микроэлектроники.

Ключевые аспекты образовательной деятельности Института перспективных материалов и технологий (ПМТ НИУ МИЭТ):

  1. Подготовка кадров ведется на всех уровнях высшего образования: бакалавриат, магистратура. аспирантура
  2. Учебные программы основаны на передовых научно- технологических результатах, полученных совместно с исследовательскими центрами и предприятиями электронной промышленности
  3. Взаимосвязь фундаментального образования с научно- исследовательской деятельностью института, направленной на получение практического результата, дает возможность студентам: 
    • применять теоретические знания и решать задачи в рамках актуальных направлений развития высокотехнологичных производств; 
    • начиная со 2 курса участвовать в научных исследованиях и разработках; 
    • представлять результаты на научно- практических конференциях и форумах; 
    • участвовать в конкурсах на получение научных грантов и именных стипендий; 
    • успешно использовать свои знания и навыки в разработке прорывных технологий и устройств в области высокотехнологичных производств.
  4. Преподавателями института являются руководители ведущих научных школ и предприятий отрасли, ведущие ученые отечественных и зарубежных исследовательских институтов.
  5. К учебному процессу привлечены высококвалифицированные специалисты - практики, эксперты ведущих сфер электронной промышленности, при участии которых разработаны уникальные и оригинальные практикумы и тренажеры
  6. Более 21 лаборатории института ПМТ оснащено современным технологическим оборудованием для реализации учебного процесса и проведения научных исследований;
  7. Студенты проходят практики и стажировки на ведущих отечественных и зарубежных предприятиях
  8. Программы обучения в кооперации с научной деятельностью открывают возможность выпускникам построить карьеру в ведущих высокотехнологичных российских и международных компаниях
  9. Возможность получать дополнительное образование, начиная с 1го курса, на уровне рабочих профессий и изучать современные методы и технологии в рамках программ переподготовки. 

Направления подготовки

Image
Профили:
Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники Проектирование приборов и систем Элементная база наноэлектроники Автоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристалле Материалы и технологии микро- и наноэлектроники
Image
28.03.03

Наноматериалы

Институт перспективных материалов и технологий

Профили:
Инженерия наноматериалов
Image
28.04.03

Наноматериалы

Институт перспективных материалов и технологий

Профили:
Синхротронное излучение в технологии наноматериалов Инженерия наноматериалов для сенсорики
Image
20.04.01

Техносферная безопасность

Институт перспективных материалов и технологий

Профили:
Безопасность технологических процессов и производств
Все направления
Все направления

контакты

Научная деятельность института ПМТ связана с проведением научных исследований, ориентированных на приоритетные направления развития в области разработки новых материалов для интегральной фотоники и лазерной оптики, высокочувствительной сенсорики и биосенсорики, нано и микроэлектроники, систем генерации и хранения энергии.

Основные направления исследований и разработок ПМТ:

Интегральная фотоника и лазерная оптика

Фотонные интегральные схемы

Применение:

  • микролазеры высокой когерентности для сенсорных и навигационных систем;
  • оптические элементы для систем управления и систем телекоммуникаций;
  • оптические вычислительные системы;
  • системы высокоскоростной обработки сигналов.

Основные характеристики:

  • Материал: отечественный Si3N4;
  • Рабочая длина волны 1550 нм;
  • Ввод излучения через торец или дифракционные решетки;
  • Совместимость с процессами кремниевой микроэлектроники.

Преимущества:

На сегодняшний день развитие современных систем обработки информации ограничивается быстродействием электронных схем, которое лимитируется принципиальными ограничениями электронных приборов. Решением данной проблемы является создание устройств на основе фотонных интегральных схем. Такие устройства обеспечивают быстрое переключение, малое энергопотребление и имеют широкую полосу пропускания (ТГц и выше). Создание устройств на основе фотонных интегральных схем открывает возможность дальнейшего развития магистральных и локальных волоконно-оптических систем передачи информации, аналоговой трансляции широкополосных сигналов, систем безопасности, центров обработки данных, систем измерения скорости и дистанции, различных биомедицинских сенсоров. Разработки по данному направлению выполняются в кооперации с МИСИС, Сколтех, УлГУ, АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха» и производством микроэлектроники НПК «Технологический центр».

Оптическая память

Применение:

  • энергонезависимая оптическая память в интегральном исполнении;
  • оптические вычислительные системы;
  • перестраиваемые энергонезависимые фильтры и модуляторы;
  • аппаратная реализация оптических нейроморфных систем.

Основные характеристики:

  • Функциональный материал: фазопеременные халькогениды;
  • Рабочая длина волны 1550 нм;
  • Энергонезависимость состояний;
  • Количество бит в ячейке более 3 бит;
  • Количество циклов переключения > 10 000;
  • Длительность переключения менее 500 нс;
  • Малое энергопотребление (мДж/см2);
  • Совместимость с процессами кремниевой микроэлектроники.

Преимущества:

Создание оптических устройств памяти на основе фазопеременных материалов (PCM, phase change materials) позволяет реализовывать базовый элементы, обеспечивающие возможность выполнения оптических вычислений, в том числе обработку и хранение информации без применения электронных компонент. Это критически важная технология для создания высокоэффективных вычислительных систем нового поколения, в том числе для аппаратной реализации нейроморфных систем и систем обработки оптического сигнала. Разработки выполняются в кооперации с производством микроэлектроники НПК «Технологический центр» и университетом МИСИС.

Перестраиваемые метаповерхности

Применение:

  • оптические модуляторы и фильтры;
  • элементы отображения информации и защитные метки;
  • аппаратная реализация оптических нейроморфных систем.

Основные характеристики

  • Функциональный материал: фазопеременные халькогениды;
  • Реверсивное переключение;
  • Многоуровневое управление сигналом;
  • Энергонезависимое поддержание записанных состояний;
  • Создание элементов под видимый и ближний ИК диапазон;
  • Изготовление с помощью прямой лазерной записи или литографии;
  • Площадь элементов: от 2500 до 30000 кв. мкм (в зависимости от способа изготовления).

Преимущества:

Для современных цифровых, интеллектуальных систем критически важно продолжить дальнейшее развитие технологий высокоскоростной передачи и отображения информации, в том числе за счет эффективного управления параметрами и направлением распространения оптического сигнала. Реализация реверсивного и стабильного управления проходящим и/или отраженным излучением видимой и ближней ИК части спектра позволит перейти к созданию целого ряда новых функциональных устройств и систем на их основе, к примеру, полосковых фильтров для систем технического зрения и дифракционных оптических приложений для создания перезаписываемых компьютерных голограмм. Разработки выполняются в кооперации с университетами МИСИС и ИТМО при участии производителей НПК «Технологический центр», ООО НПЦ «Лазеры и аппаратура ТМ» и АО «НПП «ЭСТО». 

Высокочувствительная сенсорика и биосенсорика

Фотонный сенсор

для обнаружения и анализа веществ сверхмалых концентраций методом рамановской спектроскопии      

Применение:

  • Медицина - ранняя диагностика, обнаружение биомаркеров болезней                                                 
  • Биомедицина - исследование внутриклеточных процессов и клеток
  • Сельское хозяйство - контроль качества кормов и добавок, анализ растительных культур
  • Криминалистика - анализ состава следов взрывчатых веществ
  • Химия особочистых материалов - контроль чистоты веществ
  • Пищевая промышленность - контроль свежести продуктов
  • Экология - анализ сточных ввод, состав окружающей среды

Основные характеристики

  • Габариты: 20х5х0,5 мм;
  • Вес: 2 г;
  • Время анализа - от 30 сек до 10 минут;
  • Концентрация регистрируемых веществ – до 10-10 М.

Преимущества:

  • Высокая устойчивость к воздействию внешних факторов
  • Возможность хранения вне вакуумной упаковки более 6 месяцев
  • Простая активация сенсора
  • Масштабируемая и гибкая технология изготовления
  • Чувствительная зона сенсора более 70% поверхности
  • Высокая воспроизводимость рабочих параметров   
                                                                                                                                   

Сегнетоэлектрические материалы для сенсоров

Применение:

·       Акустические преобразователи
·       Автомобильные сенсоры -   датчики давления, датчики удара, датчики потока
·       Биомедицина - датчики пульса, датчики ЭКГ

Основные характеристики

·       Частотный диапазон работы от 1 до 200 кГц;
·       Чувствительность порядка 30 мкВ/Па (при толщине от 20¸500 мкм);
·       Температурный диапазон с сохранением характеристик: от -40 до +80 °С.

Преимущества:

·       Высокая чувствительность
·       Негигроскопичность
·       Нанесение на любые поверхности
·       Устойчивость электрофизических свойств по отношению к внешним воздействиям

Нано- и микроэлектроника

Фазосдвигающие фотошаблоны

Применение

Фазосдвигающие фотошаблоны — это маски, позволяющие улучшить процесс фотолитографии за счёт изменения фазы между соседними интерферирующими световыми потоками. Применяются для производства полупроводниковых устройств и приборов с проектными нормами до 28 нм.

Основные характеристики:

  • Габаритные размеры - 152х152х6,35 мм;
  • Фазосдвигающие слои на основе MoSiN;
  • Оптическое пропускание фазосдвигающих слоев на длине волны 193 нм – от 5 до 20 %;
  • Фазовый сдвиг – 180°.

Преимущества

При экспонировании близкорасположенных линий на фотошаблоне световые лучи имеют сходные фазы. Из-за этого на облученных участках в области между линиями наблюдается интерференция хвостов световых потоков, что приводит к снижению разрешения при работе в близком к дифракционному пределу режиме. Чтобы улучшить качество получаемого изображения, соседние линии экспонируют лучами с противоположными фазами. Сдвиг фазы обеспечивается покрытием части щелей таких фотошаблонов специальным веществом, сдвигающим фазу лучей на 90 градусов.

Системы металлизации интегральных схем с нанометровыми технологическими нормами    

Применение

·       В технологии интегральных схем

Преимущества

·       уменьшение размеров интегральных схем;
·       повышение степени интеграции

Системы генерации и хранения энергии

ИСТОЧНИКИ ЭНЕРГИИ

Литий-ионный аккумулятор для работы в условиях отрицательных температур   

Область применения литий-ионных аккумуляторов на основе нитевидных структур германия включает:

  • Портативные электронные устройства. Замена графитовых электродов на нитевидный германий повышает емкость аккумулятора
  • Работа в условиях холодного климата. Способны эффективно работать при температурах окружающей среды ниже - 20*С, что актуально в приполярных районах.

Основные характеристики аккумулятора (зависит от типа конструкции):

  • Рабочее напряжение: ≥3 В;
  • Удельная энергоемкость: ≥ 280 Вт*ч/кг;
  • Удельная энергоемкость при -50⁰С (заряд/разряд): ≥100 Вт*ч/кг

Преимущества:

  • повышение практической удельной энергии литий-ионного аккумулятора
  • работа при отрицательных температурах близких к -50°С, в том числе  заряда аккумулятора.
  • быстрый заряд/разряд

Планарный суперконденсатор

Применение:

Суперконденсаторы широко используются для защиты разнообразных устройств и микроконтроллеров от провалов напряжения в результате непредвиденного изменения нагрузки или кратковременном отключении питания. Микро СК целесообразно применять, размещая непосредственно на электрических устройствах, кристаллах, платах или схемах с целью минимизации занимаемого полезного объема в приборе. Одно из перспективных направлений - создание беспроводных устройств с системами генерации заряда на основе фотопреобразователей, преобразователей механической энергии (с пьезо элементами), элементов Пельтье и бетавольтаических элементов, и системами накопления энергии.

Основные характеристики:

  • Удельная емкость – более 100 мФ/см2;
  • Время жизни устройства – более 105 циклов «заряд-разряд»;
  • Габаритные размеры – 10*10*0,5 мм;
  • Электродные композитные материалы на основе углерода и оксидов переходных металлов

Преимущества:

По сравнению с литий-ионными аккумуляторами суперконденсаторы характеризуются большими значениями удельной мощности и более продолжительным жизненным циклом. Планарные устройства накопления и хранения энергии могут быть изготовлены в едином технологическом процессе и на одной подложке с потребителем, что открывает широкие возможности для развития автономных портативных и имплантируемых устройств и приборов.

Автономный термоэлектрический источник питания с увеличенным сроком службы

Универсальный источник питания может быть использован:

  • в экстремальных условиях, в том числе в космическом пространстве;
  • во время работы экспедиций, ликвидации катастроф, стихийных бедствий и других чрезвычайных ситуаций;
  • для энергообеспечения бортовых приборов и устройств;
  • средств оповещения и сигнализации;
  • систем блокировки и защиты.

Основные характеристики:

  • Переход в рабочее состояние - менее чем за 1 секунду
  • Расширенный рабочий температурный диапазон (до - 100°С)
  • Увеличенный срок службы – не менее 15 лет
  • Генерируемая мощность - не менее 10 Вт

Преимущества:

  • Увеличенный срок службы по сравнению с традиционными аккумуляторами и батарейками
  • Способен находится в состоянии ожидания более 15 лет
  • Возможность работы в экстремальных условиях, в т.ч. в космосе
  • Способ активации устройства: электрический, механический, тепловой,
  • при возникновении необходимости за доли секунд.

Высокоэнергетические многослойные материалы

Применение:

  • Корпусирование и 3d-интеграция устройств микроэлектроники;
  • элементы пожарно охранных систем
  • линии задержек подушек безопасности автомобиля
  • инициаторы вторичных реакций

Основные характеристики

  • Плотность энергии - до 20 кДж/см3
  • Скорость горения - до 15 м/с
  • Температурный диапазон с сохранением характеристик:  от -40 до +80 °С

Преимущества

Многослойные высокоэнергетические материалы могут быть сформированы на поверхности различных подложек с помощью традиционной технологии интегрального производства – магнетронного распыления материалов. Изменение геометрических характеристик многослойных структур и тепловой менеджмент позволяют в широком диапазоне изменять характер горения и эффективно управлять количеством и скоростью выделения тепловой энергией, интенсивностью газовыделения и структурой продуктов горения.

ВОЗОБНОВЛЯЕМАЯ ЭНЕРГЕТИКА

Термоэлектрический генератор

Применение:

  • для преобразования бесполезно-теряемого (бросового) тепла в электроэнергию;
  • для автономного получения электроэнергии, в том числе в труднодоступных регионах, таких как: Арктика, Антарктика, районы Крайнего Севера, Северный морской путь;
  • на космических станциях, способных работать в течение десятков лет;
  • для создания катодной защиты трубопроводов;
  • для датчиков теплового потока.

Основные характеристики

  • Диапазон рабочих температур: от +25 °С до +900 °С;
  • Рабочая среда: воздух, инертный газ, вакуум;
  • Повышенное значение КПД за счет использования многосекционных термоэлементов.

Преимущества

Позволит преобразовать огромное количество бросового тепла, выделяемого, например, при получении электроэнергии в атомных станциях или ТЭЦ, радиоактивными элементами, используемыми в космических кораблях дальнего следования.

Термоэлектрические генераторы находят применение там, где требуются надежные источники электроэнергии с большой удельной мощностью, обладающие длительным сроком эксплуатации и не требующие обслуживания.  

Гибкие термоэлектрические генераторы для носимой электроники           

Применение:

Позволяет перерабатывать тепловую энергию, выделяемую человеческим телом или различными механизмами, в электрическую.                                        

Питание компактных электронных устройств, в том числе носимой электроники:

·       устройства интернет вещей (IoT);
·       дисплеи;
·       датчики;
·       тонкопленочная фотоэлектроника;
·       бытовые и медицинские устройства;
·       приборы специального назначения.

Основные характеристики

·       Толстопленочный гибкий ТЭГ:
·       Геометрические параметры ТЭГ: 35×44×3 мм3.
·       Геометрические параметры ветвей термоэлементов (высота, диаметр): h=3 мм, d=1 мм.
·       Количество пар ветвей: 12.
·       Вырабатываемая термоЭДС: 11,1 мВ (при ∆Т=5 К), 22,2 мВ (при ∆Т=10 К).                  
·       Плотность мощности: 0,27 мкВт/м3 (при ∆Т=5 К), 1,29 мкВт/м3(при ∆Т=10 К).

Солнечные батареи

Применение

·       бытовое применение;
·       автономные системы, питание отдельных потребителей;
·       промышленная выработка электроэнергии;
·       транспортные средства;
·       космическое и специальное назначение.

Основные характеристики

·       КПД от 5 до 25 %.

Преимущества:

·       неисчерпаемый источник энергии – Солнце;
·       высокие потенциальные возможности;
·       высокая экологичность при использовании;
·       простота и гибкость реализации,
·       модульная структура;
·       широкий диапазон вырабатываемых мощностей – от 10-3 до 106 и даже более Вт;
·       надежность;
·       простое техническое обслуживание;
·       небольшая масса;
·       бесшумность;
·       безопасность.

 Электроды для фото- и электрохимических преобразователей энергии  

Применение:

Позволяют преобразовывать падающий свет в химическую и/или электрическую энергию.

Имеют широкий спектр применений:

·       получение водородного топлива;
·       очистка воды и воздуха от токсичных веществ;
·       анализ энергетического спектра.

Основные характеристики

·       Геометрические параметры электродов: от 0,25 см2 до 100 см2 (зависит от применения).
·       Квантовая эффективность (IPCE) на длине волны 365 нм ~ 50 %.
·       Квантовая эффективность (IPCE) в диапазоне длин волн 400 - 500 нм от 10 до 2 %.

Преимущества

Разрабатываемые наноструктурированные полупроводниковые электроды открывают новые горизонты в области преобразования энергии, демонстрируя высокую степень адаптивности к конкретным применениям, за счет широкого и управляемого спектра фоточувствительности. В отличие от традиционных фотоэлектродов, базирующихся на слоях наночастиц диоксида титана (например, P25 Degussa), данные электроды проявляют фотоактивность в видимой области спектра без необходимости проведения дополнительных, зачастую сложных, процедур модификации, что существенно упрощает и удешевляет технологический процесс

Техносферная безопасность

Системы обеспечения микроклимата чистых производственных помещений для производства микро- и радиоэлектроники.

Педагогический состав

ФИО Должность, учёная степень, учёное звание Электронная почта
Бабич Алексей Вальтерович ассистент
Березина Наталия Вадимовна доцент, кандидат технических наук
Борисов Александр Григорьевич доцент, кандидат технических наук, доцент
Волкова Елена Анатольевна доцент, кандидат технических наук
Воловликова Ольга Вениаминовна доцент, кандидат технических наук
Волощук Ирина Андреевна ассистент
Гаврилин Илья Михайлович доцент, кандидат химических наук
Герасимова Ирина Анатольевна ассистент
Глухенькая Виктория Борисовна ассистент
Громов Дмитрий Геннадьевич профессор, доктор технических наук, профессор
Дронов Алексей Алексеевич доцент, кандидат технических наук
Дронова Дарья Алексеевна ассистент
Ильяшева Екатерина Владимировна доцент, кандидат технических наук, доцент
Каракеян Валерий Иванович профессор, доктор технических наук, профессор
Ковалева Лариса Евгеньевна старший преподаватель
Колобов Александр Владимирович профессор, доктор физико-математических наук
Кольцов Владимир Борисович профессор, доктор химических наук, профессор
Кузьмичёв Николай Юрьевич старший преподаватель
Лазаренко Петр Иванович доцент, кандидат технических наук
Ларионов Николай Михайлович профессор, кандидат технических наук, профессор
Лебедев Егор Александрович доцент, кандидат технических наук
Михайлова Мария Сергеевна доцент, кандидат химических наук, доцент
Назаркина Юлия Валерьевна старший преподаватель
Неустроев Степан Архипович профессор-консультант, доктор технических наук, профессор
Никулина Ирина Михайловна старший преподаватель
Осипенкова Наталья Геннадиевна доцент, кандидат технических наук, доцент
Пепеляев Дмитрий Валерьевич ассистент
Переверзева Светлана Юрьевна ассистент
Петухов Иван Николаевич старший преподаватель
Попенко Наталья Ивановна доцент, кандидат химических наук, доцент
Попова Наталья Владимировна доцент, кандидат технических наук
Пухова Ольга Евгеньевна ассистент
Редичев Евгений Николаевич доцент, кандидат технических наук
Рогачев Максим Сергеевич ассистент
Рябышенков Андрей Сергеевич профессор, доктор технических наук, профессор
Савицкий Андрей Иванович ассистент, кандидат технических наук
Савчук Тимофей Павлович ассистент
Смирнов Владимир Витальевич профессор, доктор технических наук
Тарасов Андрей Михайлович ассистент
Терехов Дмитрий Юрьевич ассистент
Федянина Мария Евгеньевна ассистент
Чернявский Сергей Анатольевич ассистент, кандидат технических наук, ассистент
Чечерников Игорь Михайлович доцент, кандидат технических наук, доцент
Шерченков Алексей Анатольевич профессор, доктор технических наук, профессор
Штерн Юрий Исаакович профессор, доктор технических наук, доцент
Якубов Алексей Олегович ассистент

контакты

История ПМТ

1966 г.

В июне 1966 г. под руководством профессора Петровой В.З была образована кафедра «Общая, неорганическая и аналитическая химия».

За время своего существования кафедра была переименована в кафедру «Общая химия и экология (ОХЭ), в 2013г. - в кафедру «Общая и физическая химия» (ОФХ).

В состав кафедры была включена группа научно-педагогических работников, обеспечивающих преподавание общеобразовательных и специальных дисциплин по разделам физической химии.

Результаты научных исследований и практических разработок кафедры широко внедрялись на предприятиях электронной и оборонной промышленности, предприятиях средств связи и радиопромышленности и получили высокую оценку:

* 2 премии АН СССР - за лучшую работу в области микроэлектроники (1975, 1982 гг.);

* 3 золотые, 8 серебряных и 5 бронзовых медалей ВДНХ - за актуальные разработки и внедрение новых материалов и технологий;

* серебряная медаль на Международной выставке в Париже (2002 г.,   «Стекло для ситаллоцемента», разработчики Петрова В.З., Чиликина Т.Д., Воробьев В.А., Андронов Б.Н.);

* диплом на 43-м Всемирном салоне изобретений «Брюссель-Эврика-94» («Технологические процессы для формирования структур кремний-на-изоляторе», разработчики Кошелев Н.И., Ермолаева А.И., Тимошенков С.П.);

Команды студентов, подготовленные доцентом кафедры Никитиной Н.Г., 14 раз занимали I места на олимпиадах по химии среди «нехимических» вузов Москвы;

В 1976, 1979, 1983 гг. кафедре было доверено проведение Всесоюзных конференций «Неорганические стекловидные материалы и пленки на их основе в микроэлектронике»

Работы по направлению «Новые технологические процессы и материалы микро- и оптоэлектроники» неоднократно поддерживались грантами Президента РФ и Фонда государственной поддержки ведущих научных школ РФ.

Д.т.н., профессор Петрова Валентина Захаровна. возглавляла кафедру на протяжении 35 лет (самый большой срок работы в должности заведующего кафедрой за всю историю МИЭТ).

За это время под руководством Петровой В.З. подготовлены 110 кандидатов и докторов наук, изданы десятки монографий и учебников, 80 учебных пособий и лабораторных практикумов, опубликованы 900 научных статей. Петрова В.З. является автором 200 изобретений.   Основала и руководила ведущими научными школами страны по направлениям «Стекловидные неорганические диэлектрики и пленки в микроэлектронике» и «Материалы и технологические процессы интегральной оптики».

Достижения профессора Петровой В.З. высоко оценены государством и научно-педагогической общественностью: присвоены звания лауреата Государственной премии СССР (1988 г.), заслуженного деятеля науки и техники РФ (1995 г.), заслуженного профессора МИЭТ (1990 г.); награждена орденом Почета.

C 2001 - 2012 гг. кафедру возглавляла д.т.н., профессор Хаханина Т.И.

C 2012 по 2017 г. заведующим кафедрой ОФХ - д.т.н,, профессор Рощин В.М.

Основной вклад в становление и развитие учебно-педагогической и научной деятельности кафедры внесли Петрова В.З., Сорокин И.Н., Гребенькова В.И., Никитина Н.Г., Шутова Р.Ф., Ермолаева А.И., Суханова Л.С., Чиликина Т.Д., Ганьшин В.А., Тельминов А.И., Коркишко Ю.Н.

В 1966г. под руководством д.т.н., профессора Голикова В.И. была образована кафедра «Технология приборо- и машиностроения», которая обеспечивала подготовку студентов по технологии точного машиностроения, технологии материалов   и охране труда в производствах микроэлектроники.

Под руководством профессора Голикова В.И. (1969-1978 гг) происходит зарождение учебного и научного направлений кафедры в области технологии высокоточной резки полупроводниковых слитков на пластины, шлифовки, полировки и разделения поликоровых подложек на модули.

Период 1969 - 1978 гг. характеризуется расширением перечня преподаваемых дисциплин, ориентированных на особенности производств микроэлектроники, совершенствованием учебно-методической и лабораторной базы, наличием тематики научных исследований с предприятиями Научного центра, связанной с механической обработкой диэлектрических и полупроводниковых материалов.

К этому времени относится становление и развитие учебного и научного направления в области безопасности жизнедеятельности.

В 1979 г. кафедру возглавила доктор технических наук, профессор Ушакова С.Е., с деятельностью которой связано создание технологической специализации по специальности «Электронное машиностроение» и развитие научного направления в области получения толстопленочных изделий сложной пространственной формы с управляемыми физико - механическими свойствами.

С 1992 г. кафедрой заведует д.т.н., профессор Кузнецов О.А. Получают дальнейшее развитие научные исследования по технологии сборки интегральных микросхем, автоматизированному технологическому проектированию в приборо- и машиностроении, а также технологической экологии микроэлектроники и техносферной безопасности.

В период 2001- 2013 гг. (зав. кафедрой д.т.н., профессор Каракеян В.И.) происходит становление кафедры под названием “Промышленная экология” как выпускающей, и основные усилия направлены на создание учебно-методического комплекса по специальности «Инженерная защита окружающей среды», переоснащение и обновление лабораторной базы. В 2004 г. состоялся первый выпуск инженеров-экологов.

В этот период успешно функционировали организованный при кафедре учебно-научный центр газоаналитического и коррозионного мониторинга (УНЦ ГКМ), а также базовая кафедра на площадях филиала №10 "Зеленоградский" Московской объединённой энергетической компании (МОЭК), по тематике которых, студентами и аспирантами выполняются дипломные и научно-исследовательские работы и повышения квалификации среди специалистов газовой отрасли.

С 2013г.   до момента создания института ПМТ (Института перспективных материалов и технологий) кафедрой руководил к.т.н., профессор Ларионов Н.М.

Ведущие преподаватели кафедры: профессора Каракеян В.И., Кольцов В.Б., Рябышенков А.С., Ларионов Н.М., доценты Вяльцев А.А., Севрюкова Е.А., Попова Н.В., Березина Н.В., Чечерников И.М., ст. преподаватель Никулина И.М.

В 2007 - 2008 гг. кафедра принимала активное участие в выполнении инновационной образовательной программы МИЭТ «Современное профессиональное образование для российской инновационной системы в области электроники», а с 2010г. выполняла работы в рамках Национального исследовательского университета. Результатом этой деятельности стало завершение перехода на двухуровневую систему подготовки кадров и кардинальное обновление учебно – методического и лабораторного комплекса. в ходе которой была значительно модернизирована учебно-методическая база специальности, а также были изданы учебные пособия с грифом УМО: Каракеян В.И., Никулина И.М. «Безопасность жизнедеятельности»; Каракеян В.И. “Экономика природопользования”; Севрюкова Е.А. “Надзор и контроль в сфере безопасности”; Ларионов Н.М., Рябышенков А.С. “Промышленная экология”; Севрюкова Е.А. “Мониторинг загрязнения окружающей среды”; Кольцов В. Б. «Теоретические основы защиты окружающей среды» (в 3-х частях); Кольцов В. Б. “Очистка сточных вод”; Кольцов В. Б. “Процессы и аппараты защиты окружающей среды”.

В 2017 г. в результате структурной перестройки Университета кафедра стала подразделением вновь организованного Института перспективных материалов и технологий (ПМТ), ответственного за направление подготовки “Техносферная безопасность”.

В настоящее время в подразделении ведутся перспективные научно-исследовательские работы по проблемам экологической безопасности наукоемкой природно-технической системы и энергоэффективности производств микроэлектроники, значительный вклад в которые вносят аспиранты и студенты.

За последние 10 лет в коллективе защищены 8 кандидатских и 2 докторские диссертации.

1967 г.

Под руководством д.т.н., профессора, лауреата Государственной премии СССР, заслуженного деятеля науки и техники РСФСР Чистякова Ю.Д. в декабре 1967г. была образована кафедра «Физико-химические основы технологии микроэлектроники» (ФХОТМ).

      Юрий Дмитриевич Чистяков (1923–1990) — фронтовик Великой Отечественной войны, выдающийся ученый и преподаватель. Награжден орденом Красной Звезды и восемью медалями. Лауреат государственной премии СССР и заслуженный деятель науки и техники РСФСР.

       Вместе с ним в МИЭТ пришли молодые ученые: Пекарев Александр Ильич, Гулидов Дмитрий Николаевич, Мочалов Алексей Иванович, Бутурлин Анатолий Иванович, Райнова Юлия Петровна, Пугачевич Владимир Петрович, Шарапов Владимир Иванович, Гладков Юрий Иванович. Позднее на базе кафедры была создана отраслевая научная лаборатория «Физико-химические процессы технологии микроэлектроники». Заведующим лабораторией был назначен Красулин Георг Александрович.

       Лаборатория вела серьезные исследовательские и прикладные работы в области микроэлектроники.

       Регулярно кафедра проводила Всесоюзную конференцию «Активируемые процессы микроэлектроники», на которую приезжали гости из многих городов страны. Издавались сборники трудов конференций, иметь публикацию в которых считалось престижным.

       Чистяков Ю.Д. создал отечественную школу «эпитаксиальщиков».

Другом Чистякова Ю.Д. был лауреат Нобелевской премии Жорес Иванович Алферов. Он бывал на кафедре. На кафедре также можно было встретить и Лабунова Владимира Архиповича – академика АН БССР, тоже друга Чистякова Ю.Д., и многих других выдающихся научных и государственных деятелей.

       Кроме преподавателей кафедры лекции студентам читали лучшие специалисты. Так, навсегда студентам запомнился курс по технологии микроэлектроники, который читал Райнов Юрий Анатольевич - заместитель министра электронной промышленности СССР, до этого зам. главного инженера НИИМВ, главный инженер завода ЭЛМА, первый директор завода «Микрон» при НИИМЭ, директор экспериментального завода «Протон» МИЭТ. Юрий Анатольевич досконально знал предмет и виртуозно читал лекции.

       Читал лекции и другой ведущий специалист отрасли, ученик Чистякова Ю.Д. – Щербинин Анатолий Александрович, внесший неоценимый вклад в развитие локальной эпитаксии в СССР.

       Кафедра была известна на всей территории Советского Союза и за рубежом. Среди аспирантов можно было встретить приезжих из союзных республик: Грузии, Украины, Молдавии, Армении, Эстонии и других.

        Юрий Дмитриевич Чистяков подготовил 98 кандидатов и 10 докторов наук, а за время существования кафедры под его непосредственным руководством было подготовлено 12 докторов наук и более 120 кандидатов наук. Многие из них после окончания аспирантуры и защиты диссертаций возглавили в республиках научные школы.

Под редакцией профессора Чистякова Ю.Д. были переведены и изданы двухтомник “Технология СБИС” и “Силициды для СБИС”, написаны и изданы монография “Физико-химические основы технологии микроэлектроники” и более 20 учебных пособий.

        С 1988 г. по 1990 г. – кафедрой руководил д.т.н., профессор Пекарев А.И.
       С 1990г. по 1999 г. – д.т.н., профессор, заслуженный деятель науки РФ Сорокин И.Н.

На кафедре ФХОТМ подготовлено более 600 специалистов-технологов.

1968 г.

Образована кафедра «Специальных материалов микроэлектроники» (СММЭ) под руководством д.т.н, профессора, лауреата Государственной премии СССР Соколова Евгения Борисовича (1968 - 1999 гг.).

На кафедре СММЭ подготовлено более 1000 специалистов-материаловедов; под руководством профессора Соколова Е.Б. и других ведущих научных сотрудников защищено 130 кандидатских диссертаций. Научные работы кафедры отмечены Государственной премией СССР и премиями Минвуза СССР.

Первые сотрудники кафедры - Прокофьева В.К., Леви В.А., Боровский Н.В., Найда Г.А., Раскин А.А., Неустроев С.А.

       Уровень научной работы кафедры СММЭ определяли прежде всего сотрудники, длительно работавшие в подразделении. Профессор Степан Архипович Неустроев, специалист по плазмо-химическим процессам и оборудованию. Докторскую диссертацию защитил в 1975 году; под его руководством защитил кандидатскую диссертацию (в 1980 году) ныне Президент Российской Академии наук РАН, научный руководитель ОАО «НИИМЭ - Микрон», д.т.н, профессор Геннадий Яковлевич Красников. Многие годы Степан Архипович являлся ученым секретарем Ученого совета МИЭТ, а также членом ряда диссертационных советов.

      Структуры металл-диэлектрик - полупроводник (МДП- структуры) являются основой многих интегральных полупроводниковых схем. МДП - структура, пограничная на стыке технологии материалов и технологии приборов; её исследования составили основу докторской диссертации Александра Александровича Раскина (защищена в МИЭТ в 1980 г). А.А. Раскин вел активную общественную работу: долгие годы был главным ученым секретарем диссертационных советов МИЭТ, деканом ФХ факультета (1995 - 2000 гг.), работал на кафедре СММЭ с начала её образования (1973 г.).

      Одним из основных направлений научной работы кафедры - исследование роста монокристаллов и эпитаксиальных процессов - на протяжении многих лет занимались талантливые специалисты-технологи Виолетта Константиновна Прокофьева, защитившая кандидатскую диссертацию в 1970 году, и Галина Акимовна Найда (кандидатскую диссертацию защитила в 1976 году).

      Несмотря на трудности проведения экспериментов на площадях МИЭТ и сотрудничающих с кафедрой предприятий, В.К. Прокофьева и Г.А. Найда сумели получить и интерпретировать много оригинальных результатов, подготовить десятки кандидатов наук, а также несколько сотен публикаций.

Вполне самостоятельная и интересная область исследований - жидкофазная эпитаксия полупроводниковых соединений - разрабатывалась B.А. Леви, который не только успешно защитил кандидатскую диссертацию, но и реализует в настоящее время свои знания на практике на созданном им предприятии ООО «МЕГАКЛАССИК»

      После первого выпуска специалистов (в 1972 г.) кафедра подготовила двух кандидатов технических наук - Лидию Владимировну Логинову, много лет работавшую в ВАК, и Бориса Николаевича Рыгалина, ветерана МИЭТ, д.т.н., профессора, в настоящее время работающего в должности директора НИИ электронной техники МИЭТ, защитившего кандидатскую и докторскую диссертации по тематике основных работ кафедры.

      Несколько отдельно от общего направления работ кафедры находятся работы по импульсно- плазменному получению сверхтонких пленок, что особенно важно при переходе к нанотехнологиям. Эти работы были переданы с кафедры «Теоретическая физика» Геннадием Ивановичем Шаповаловым и продолжены в дальнейшем студентом кафедры СММЭ (выпуска 1986 года), защитившим кандидатскую и докторскую диссертации - Владимиром Михайловичем Рощиным. В дальнейшем В.М. Рощин был избран деканом факультета ИТС - «Интеллектуальные технические системы» и заведующим кафедрой «Общая и физическая химия» МИЭТ.

      Универсальным специалистом в области специальных материалов электронной техники проявила себя Людмила Павловна Батюня. Её работы по многокомпонентным стеклам, сверхпроводящим пленкам и другим материалам отмечены учёной степенью доктора технических наук в МИТХТ (в 2006 г.).

      В последние годы совместно с ОАО «Телеком-СТВ» по результатам реализации кафедральных разработок (геттерирование расплава кремния) Александр Федотович Яремчук защитил докторскую диссертацию (2012 г.), открывающую новые перспективы в области технологии материалов для полупроводниковой энергетики.

      Помимо преподавателей, учебный процесс на кафедре осуществляли научные сотрудники базового предприятия - НИИ материаловедения: в разное время директора, доктора наук, профессора А.Ю. Малинин, Л.А. Иванютин, В.А. Фёдоров, Б.Г. Грибов и многие другие, например Н.И. Блецкан, начальники отделов и лабораторий. В НИИ МВ был создан Учебный центр МИЭТ, сотрудники которого тесно работали с кафедрой (к.т.н. А.А. Картушина и к.т.н. Н.Н. Погорелова).

      На кафедре трудились студенты не только ФХ факультета, в их числе:

- Владимир Николаевич Пахомов, выпускник ФТ, защитил кандидатскую диссертацию по тематике создания МДП-структур на антимониде индия, до последнего времени работал на кафедре.

- Татьяна Олеговна Попова - по тематике создания и исследования структур на фосфиде индия (защитила кандидатскую диссертацию в 1985 г.).

- Виктор Андреевич Куражов (выпускник ФТ) - по тематике создания гибридных торцевых светодиодных матриц, обладающих уникальной яркостью, и многие другие.

      Наиболее активно взаимодействие с промышленными предприятиями осуществлялось с участием талантливых представителей промышленной науки, среди которых следует выделить директора завода чистых металлов (г. Светловодск) Анатолия Михайловича Тузовского, начальника цеха ПХМЗ Хасана Ильича Макеева (г. Подольск), начальника лаборатории ЗТМК Адольфа Гавриловича Петрика (г. Запорожье), начальника цеха завода чистых металлов, ныне д.т.н, работника НИИ ОСЧМ - Института особо чистых материалов (г. Зеленоград) Калашника Олега Николаевича.

       В ноябре 1968 г была образована кафедра «Физической химии» (ФХ).

       Основателем и руководителем кафедры в течение 31 года (1968- 1999 гг) являлся заслуженный деятель науки РФ, д.х.н., профессор Глазов В.М. – ученый в области физической химии материалов для полупроводниковой электроники.

      Научно-педагогический коллектив кафедры ФХ проводил фундаментальные исследования в области химической термодинамики полупроводников, строения и свойств неупорядоченных систем.

      О высокой результативности деятельности кафедры свидетельствуют научное открытие явления локального уплотнения структуры микрообъемов полупроводников (авторы профессора Глазов В.М., Кольцов В.Б., доцент Тимошина Г.Г.), более 600 печатных работ, в том числе 25 монографий, 1 учебник федерального уровня, 13 учебных пособий, 54 изобретения, 2 патента.

       В 1981 г. Глазову В.М. присуждена Государственная премия СССР (в составе коллектива)  за цикл исследований по химической термодинамике полупроводников.

      На кафедре физической химии были защищены 11 докторских и 61 кандидатских диссертаций.

      Лауреатами Государственной премии СССР стали профессора Глазов В.М. и Пашинкин А.С., медалью им. акад. Курнакова Н.С. награждены профессора Глазов В. М., Пашинкин А.С., Павлова Л.М.

      Многие выпускники кафедры стали крупными учеными, руководителями производства. В значительной мере это стало возможным благодаря высокому научно-педагогическому уровню коллектива.

1969 г.

Образована кафедра «Материаловедение» (МВ)

С 1969г. по 1986 г. кафедрой руководил широко известный ученый – материаловед, д.т.н, профессор Вигдорович Виленин.Наумович., - ученый в области термодинамики, физической химии, материаловедения и технологии.

Автор более 900 научных трудов. Под его руководством подготовлено 72 кандидата и 9 докторов наук.

С 1987г. по 1996 г. кафедрой руководил д.ф-м.н., профессор Айвазов А.А.

С 1996г. по 1999 г. заведующий кафедрой - д.ф-м.н, профессор Будагян Б.Г.

      Кафедра осуществляла фундаментальную подготовку инженеров-технологов в области материаловедения на физико-химическом факультете и общетехническую подготовку на других факультетах МИЭТ. На кафедре материаловедения было подготовлено 16 докторов наук и 75 кандидатов наук.

      Научно-педагогическим коллективом кафедры были опубликованы около 600 печатных работ, в том числе 9 монографий, 2 учебника, 25 учебных пособий, сделано более 100 изобретений.

      За цикл исследовательских работ, проведенных в 1978 - 1985 гг., золотой медалью ВДНХ награждены к.т.н. Ухлинов Г.А. и к.т.н. Марков Ф.В.

     В 1985 г. к.т.н. Ухлинову Г.А. была присуждена Государственная премия Молдавской ССР, а к.т.н. Гогохия В.Г., Малышкину М.А. и Шутову С.Г. - премия Ленинского комсомола в области науки и техники по теме «Разработка научных основ и внедрение технологических процессов с использованием стабильных и метастабильных равновесий кристалл-расплав для получения эпитаксиальных гетероструктур и приборов оптоэлеткроники»

1999 г.

В результате структурной реорганизации Университета были образованы:

·       Кафедра «Материаловедение и физическая химия» (МФХ) - объединение кафедр «Материаловедение» и «Физическая химия».

С 1999г. по   2002 г. заведующий кафедрой - д. ф.-м. н., профессор Будагян Б.Г.

       С 2002 г. научно-педагогическим коллективом кафедры руководил д.т.н., профессор Гаврилов С.А.

      За десять лет объединенный коллектив кафедры подготовил 1 доктора наук и 8 кандидатов наук, опубликовал более 100 научных статей в ведущих отечественных и зарубежных профильных журналах, 1 монографию, 2 учебных пособия.

      Кафедру МФХ отличал высокий интеллектуальный, научный и педагогический потенциал. В числе ее сотрудников - 3 доктора наук и 8 кандидатов наук, из них 3 профессора и 6 доцентов.

            Кафедра МФХ являлась одновременно и выпускающей, и общеобразовательной кафедрой факультета ЭТМО.

      В качестве выпускающей кафедра обеспечивала подготовку бакалавров и магистров по направлению «Электроника и микроэлектроника» и специалистов по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника», а также подготовку аспирантов и докторантов по специальностям 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», 02.00.04 «Физическая химия».

      Как общеобразовательная, кафедра осуществляла фундаментальную и обще-профессиональную подготовку студентов по следующим учебным дисциплинам: «Физическая химия», «Материалы электронной техники», «Кристаллография», «Физическая химия материалов электронной техники», «Материалы микросистемной техники», «Материаловедение в промышленном дизайне», «Полупроводниковые преобразователи энергии».

      Для реализации образовательных программ по направлению «Наноэлектроника» были разработаны новые учебно-методические комплексы по дисциплинам «Физика и химия наноматериалов», «Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники».

     В учебном цикле общетехнической подготовки кафедра обеспечивала приобретение студентами компетенций по вопросам строения вещества, физики и химий материалов электронной техники, знакомила студентов с перспективными материалами и процессами микро- и наноэлектроники, последними достижениями по применению этих материалов в различных устройствах твердотельной электроники.

      Студенты, изучающие специальные дисциплины и проходящие практику на кафедре материаловедения и физической химии активно участвовали в выполнении реальных проектов в кафедральных НИОКР, приобретали глубокие знания и устойчивые практические навыки, необходимые для выполнения исследовательских и конструкторских работ по тематике современных экологически чистых и надежных преобразователей энергии, по физике и технологии термо- и фотоэлектрических материалов и устройств, технологиям синтеза нанокристаллов, основам создания интеллектуальных энергосберегающих систем.

      Лучшие студенты-аспиранты МИЭТ по кафедре МФХ неоднократно удостаивались грантов Президента РФ.

      Научная группа сотрудников кафедры во главе с д.т.н., профессором Гавриловым С.А. активно участвовала в исследованиях в области нанотехнологий, направленных на создание и изучение свойств наноразмерных кристаллов металлов, полупроводников и диэлектриков для последующего их использования в перспективных приборах опто- и наноэлектроники, микросистемной технике, фотоэлектрических преобразователях энергии.

      Научный коллектив кафедры МФХ, возглавляемый д..т.н, профессором Шерченковым А.А., совместно с отечественными и зарубежными партнерами успешно проводил исследования в области физики и технологии некристаллических материалов, на основе которых были созданы эффективные системы хранения информации и фотоэлектрические преобразователи энергии.

      Научная группа сотрудников во главе с д.т.н. Штерном Ю.И. вела работы по созданию интеллектуальных энергосберегающих устройств и систем, высокоточных средств измерения термодинамических параметров материалов и сред, термо-электрических устройств, которые широко использовались и используются в настоящее время в вычислительной и лазерной технике, приборах и оборудовании для научных исследований, термостатах, холодильниках и кондиционерах, медицинских приборах, технологическом оборудовании.

      Преемственность научных работ в области физической химии наблюдается по направлению исследований в области физической химии материалов электронной техники - продолжаются разработки новых полупроводниковых материалов с заданными свойствами, проводимые д.х.н., профессором Павловой Л.М., д.х.н., профессором Пашинкиным А.С., к.х.н., доцентом Малковой А.С., к..х.н., доцентом Михайловой М.С. Новое научное направление кафедры МФХ, связанное с исследованием термодинамики и кинетики синтеза нано-дисперсных алмазных порошков, развивает к.х.н., доцент Поярков К.Б.

      Результаты научных исследований сотрудников кафедры МФХ активно используются в учебном процессе, способствуя повышению уровня подготовки специалистов в области технологии и оборудования для производства материалов электронной техники.

      Научные разработки сотрудников кафедры МФХ были удостоены почетных дипломов и золотых медалей на Всемирных салонах изобретений в Женеве (1998 г.), Париже (1999 г.) и Брюсселе (2000 г.) и на Всероссийских форумах «Образовательная среда» (2003 - 2009 гг.). Разработанные на кафедре приборы и уникальные измерительные комплексы неоднократно представлялись на всероссийских и международных выставках, где неизменно получали признание и высокие оценки.

·                 Кафедра «Материалы и процессы твердотельной электроники» (МПТЭ) -объединение кафедр «Специальных материалов микроэлектроники» и «Физико-химические основы технологии микроэлектроники»

С 1999г. по 2009 г. заведующий кафедрой - д.ф.-м.н, профессор Коркишко Ю.Н.,

С 2009г. - 2012 г. - д.т.н, профессор Громов Д.Г.

      Кафедра МПТЭ - выпускающая кафедра факультета ЭТМО, готовит специалистов для промышленных предприятий и научных организаций электроники, в настоящее время обладает значительным научно-педагогическим потенциалом: в ее составе 10 докторов наук (7 - технических, 3 - физико-математических) и 15 кандидатов наук, в том числе 10 профессоров и 8 доцентов.

      Кафедра осуществляла подготовку бакалавров и магистров по направлениям «Электроника и микроэлектроника», «Процессы микро- и наноэлектроники», «Полупроводниковые материалы и структуры», «Квантовая и оптическая электроника» и инженеров по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника».

      Основная учебная нагрузка кафедры МПТЭ была связана с проведением занятий по базовым, специальным дисциплинам и дисциплинам специализаций на факультете ЭТМО.

      В главных учебных курсах кафедры рассматриваются: материалы микро- и наноэлектроники; технологические процессы микроэлектроники; технологии получения новых материалов и структур для микро- и нано-электроники; технологические процессы изготовления устройств оптоэлектроники и волноводной оптики; современные методы исследования материалов и компонентов твердотельной электроники.

      Студенты - выпускники кафедры проходили практику на предприятиях 3еленограда, таких как ОАО «Ангстрем», ОАО «НИИМЭ и завод "Микрон"», ОАО «Элма», где построили успешную карьеру после окончания МИЭТ.

      Часть студентов проходили практику на кафедре МПТЭ и приобретали практические навыки в проведении научно-исследовательских работ в области оптоэлектроники и волноводной оптики, технологии микро- и наноэлектроники, сенсорики и технологии новых материалов.

     С 1999г. по 2008 г. на кафедре МПТЭ подготовлено более 250 специалистов, 15 магистров и 30 бакалавров.

      Научная деятельность кафедры МПТЭ была связана в основном с методами и способами получения материалов и технологическими процессами изготовления приборов микро-, опто- и нано-электроники и велась по следующим на-правлениям:

      1. Технология, элементы и устройства интегральной и волоконной оптики (руководитель - д.ф.-м.н., профессор Коркишко Ю.Н., ведущие ученые – д.ф.-м.н, профессора Федоров В.А., Кострицкий С.М.). Были выполнены фундаментальные прикладные исследования по технологии волноводных структур в кристаллах сегнетоэлектриков, а также элементов и устройств интегральной и волоконной оптики. Результаты работ получили международное признание, опубликованы в изданной в 1999 г. в Кембридже двухтомной книге «lon exchange in Single Crystals for Integrated Optics and Optoelectronics», a также в ведущих зарубежных профильных научных журналах (более 120 статей), доложены на престижных международных конференциях (более 100 сообщений).

Успешно выполняются договора с ракетно-космической корпорацией «Энергия», Пермской приборостроительной компанией, зарубежными фирмами New Trans-ducers Ltd. (Великобритания), DAEWOO (Корея) и рядом других заказчиков по созданию элементной базы опто- и акустоэлектронных систем нового поколения. Были проведены фундаментальные исследования по грантам РФФИ, ФЦП «Интеграция», программам ИНТАС, CRDF, научным программам НАТО, программе «Университеты России - фундаментальные исследования», а также инициативные совместные работы с университетами Великобритании, Германии, Италии, Испании, Франции, США, Швеции, Болгарии, Литвы.

Члены научной группы, проводящие данные исследования, неоднократно удостаивались персональных грантов Президента РФ, Соросовского фонда, государственных научных стипендий, премии Европейской академии наук, золотой медали РАН для молодых ученых. Профессора Коркишко Ю.Н. и Федоров В.А. состоят в международных научных обществах - SPIE, IEEE и LEOS, включены в рейтинговые издания «Who is Who in the World», «Dictionary of International Biography», «Outstanding People of the 20 Century, Cambridge» и «Кто есть Кто в России», «Известные русские».

2. Тонкие пленки и наноструктуры для технологий наноэлектроники и наноинженерии (руководитель - д.т.н, профессор Громов Д.Г.). Ведутся фундаментальные и прикладные исследования по физической химии тонких пленок и наноструктур; исследования и разработки новых материалов и процессов для формирования систем металлизации интегральных схем; исследования и раз-работки прозрачных проводящих покрытий на основе периодических структур; исследования механизмов и разработки технологических процессов формирования углеродных нанотрубок.

3. Технология сверхтонких пленок и наногетерогенных структур металлов и диэлектриков (руководитель - д.т.н., профессор Рощин В.М.). Разрабатывалась и исследовалась технология импульного осаждения электроэрозионной дуговой плазмы с целью получения сверхтонких металлических и диэлектрических пленок и покрытий для нано-электроники. Велись фундаментальные исследования, связанные с необходимостью изучения фазовых переходов и метастабильных структур в сверхтонких материалах.

4. Физика, химия и технология полу-проводниковых монокристаллов (руководитель - д.т.н., профессор Соколов Е.Б., ведущие ученые - д.т.н., профессор Рыгалин Б.Н., к.х.н., доцент Прокофьева В.К.).

В рамках данного направления проводились исследования, связанные с улучшением качества основных материалов полупроводниковой электроники (кремния и арсенида таллия) путем введения в расплав примеси-геттера при выращивании монокристаллов. Использование кремния с примесью-геттером для производства СБИС динамической памяти обеспечивало повышение качества и выхода годных приборов. Введение приме-си-геттера дало возможность получить монокристаллы GaAs с проводимостью, близкой к собственной. Исследования выполнялись совместно с Ульяновским государственным университетом, Институтом проблем механики РАН, Институтом металлургии РАН, ЗАО «НИИ материаловедения», ОАО «ГИРЕДМЕТ».

5. Гетероэпитаксиальные структуры в функциональной электронике (руководитель - д.т.н Добрынин А.В., ведущие ученые – к.т.н. Найда Г.А., д.т.н. Смирнов В.В.).

Проводятся исследования технологических процессов получения гетероэпитаксиальных слоев нитридов алюминия и галлия для опто- и акустоэлектроники.

6.    Гетерогенная газофазная реакционная конденсация эпитаксиально-пленочных структур (руководитель - к.т.н., профессор Райнова Ю.П., ведущий ученый - к.т.н., доцент Антоненко К.И.). Была разработана лазерная контрольно-измерительная аппаратура для управления газовыми потоками в процессах реакционной конденсации эпитаксиально-пленочных структур.

Исследуется конвективный теплообмен в быстрых термических процессах. Проводятся работы по диагностике и контролю газофазных процессов реакционной конденсации с использованием методов голографической интерферометрии. Работы поддерживаются в рамках программ Минобрнауки РФ и российско-германско-го проекта (совместно с учеными Техниче-ского университета г. Ильменау, ФРГ).

      На кафедре МПТЭ было защищено 5 докторских и 28 кандидатских диссертаций.

      В 2006 - 2007 гг. при выполнении инновационной программы МИЭТ (национальный проект «Образование»), на базе кафедры МПТЭ был создан центр формирования компетенций «Волноводная оптика и оптоэлектроника» (руководитель - профессор Ю.Н. Коркишко). Впервые в России была создана учебно-научная база для подготовки специалистов, обладающих комплексом фундаментальных знаний и навыков (компетенций) в области техники, технологии и производства интегрально-оптических и волоконно-оптических элементов, физических основ интегральной и волоконной оптики, технологии и оборудования для производства нанофотонных интегральных и волоконных световодов, проектирования, наладки и эксплуатации базовых устройств оптоэлектроники и волоконно-оптических датчиков. Для изготовления и исследования волоконно-оптических и интегрально-оптических элементов на основе брэгговских решеток был приобретен комплект лабораторно-производственного оборудования, аналогов которого нет ни в одном вузе России.

      Лучшие студенты, обучающиеся на кафедре МПТЭ, смогли продолжить образование в аспирантуре, а затем и в докторантуре МИЭТ. Имели возможность прохождения стажировок в крупнейших университетах мира, поскольку часть совместных исследований и научно-исследовательских работ кафедра велась на договорной основе с иностранными партнерами: университетом штата Флорида, Королевским технологическим институтом г. Стокгольма, университетом г. Ницца, Мадридским университетом, университетом г. Падуя, Софийским университетом, университетом г. Вильнюса, компаниями New Transducers Ltd., Corning OTI, DAEWO0 и др.

      В результате привлечения крупных зарубежных инвестиций в 2001 г. на базе кафедры МПТЭ было создано совместное предприятие ООО «НПК "Оптолинк"», генеральным директором которого стал профессор Коркишко Ю.Н. Основная деятельность предприятия направлена на разработку, организацию производства и продвижение на международный рынок высокотехнологичной продукции электроники - элементов и устройств волоконной и интегральной оптики.

2013 г.

В ходе структурной реорганизации Университета были образованы:

·                 Кафедра «Материалы функциональной электроники» (МФЭ) в результате объединения созданных в 1999 г. кафедр – «Материаловедения и физической химии» (МФХ) и «Материалов и процессов твердотельной электроники» (МПТЭ). Фактически кафедра МФЭ объединила в своем составе научно-педагогические коллективы кафедр материаловедения, физико-химических основ технологии микроэлектроники, специальных материалов микроэлектроники.

Значительный вклад в подготовку кадров и развитие научных исследований кафедры внесли доктора наук Пашинкин А.С., Кольцов В.Б., Ким С.Г., Уфимцев В.Б., Рощин В.М., Павлова Л.М., Батюня Л.П., Федоров В.А., Кострицкий С.М., Гулидов Д.Н., Добрынин А.В.; кандидаты наук Родионова Н.А., Погорелова Н.Н., Картушина А.А., Безручко В.Т., Леви В.А., Дарашкевич В.Р., Пахомов В.Н., Куржов В.А., Найда Г.А., Метонидзе З.А., Боровский Н.В., Михайлов А.И., Марков Ф.В., Жаров В.В., Михайлова М.С., Тимошина Г.Г., Тимошенко В.И., Калашников А.А., Малкова А.С., Зотова Т.В., Ломов А.Л., Павлов В.Г., Карагодин Ю.А., Курбатов В.А., Гаев Д.С., Ильина Е.Б., Резонтов К.В., Мамбетерзина Г.К., Поярков К.Б., Волик Н.Н., Цюрупа М.А., Гогохия В.Г., Гаранин В.П., Пожарский Б.Г., Селин А.А., Ухлинов Г.А., Филатова И.В., Червяков А.И., Шумилин В.П., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Стряхилев Д.А., Райнова Ю.П., Акуленок М.В., Гладков Ю.И., Мочалов А.И., Бутурлин А.И., Пугачевич В.П., Коледова Т.Н., Шарапов В.И., Красулин Г.А., Железнякова А.В.

      Кафедру отличает высокий интеллектуальный, научный и педагогический потенциал. В числе ее сотрудников 11 докторов и 12 кандидатов наук, среди них 8 профессоров и 6 доцентов.

      Кафедра МФЭ - выпускающая, готовила бакалавров и магистров по направлению «Материаловедение и технология материалов» по профилям:

- «Материаловедение и технология материалов твердотельной электроники» (вед. преподаватели – д.т.н., профессор Громов Д.Г., д.т.н., доцент Штерн Ю.И., к.т.н., доценты Прокофьева В.К., Силибин М.В., Антоненко А.И., к.ф.-м.н., доцент Мельников И.В.);

-   «Технология материалов и наноструктур» (вед. преподаватели – д.т.н., профессор Гаврилов С.А., д.т.н. Белов А.Н., Яремчук А.Ф., д.х.н., доцент Попенко Н.И., к.ф.-м.н. доцент Мельников И. В., к.т.н. Дронов А.А.)

и программам:

- «Материалы и технологии наноструктур» (вед. преподаватели - д.т.н., профессор Гаврилов С.А., д.т.н. Белов А.Н., к.т.н., доцент Железнякова А.В., к.т.н. Дронов А.А.);

- «Интеллектуальные энергосберегающие системы» (вед. преподаватели - д.т.н., доцент Штерн Ю.И., д.т.н., профессор Шерченков А.А., к.т.н. Штерн М.Ю., Миронов P.E.);

-   «Технология спецматериалов» (вед. преподаватели - д.т.н. Добрынин А.В., д.т.н., профессор Громов Д.Г., кандидаты техн. наук, доценты Прокофьева В.К., Матына Л.И.).

      Студенты, изучающие специальные дисциплины и проходящие практику на кафедре МФЭ, в ходе выполнения реальных проектов по НИОКР приобретали знания и практические навыки, необходимые для исследований и разработок в области современных экологически чистых и надежных преобразователей энергии, физики и технологии материалов в микроэлектронике, термо- и фотоэлектрических материалов и устройств, технологий синтеза нанокристаллов, основ создания интеллектуальных энергосберегающих систем. Полученные знания позволяли им свободно ориентироваться в достижениях науки и техники, со-ответствующих мировому уровню.

Обучение аспирантов на кафедре МФЭ осуществлялось по специальностям:

·         05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»;

·         02.00.04 «Физическая химия»;

·         01.04.07 «Физика конденсированно-го состояния».

      За свою почти полувековую историю на кафедре был подготовлен 31 доктор и более 200 кандидатов наук. Активно участвуя в Программе развития НИУ МИЭТ, кафедра МФЭ получила возможность обновить парк используемого технологического и измерительного оборудования, что позволило существенно повысить уровень технической базы подготовки кадров.

      За последние 5 лет сотрудники кафедры разработали 6 образовательных про-грамм, включающих более 60 дисциплин, в том числе более 50 лабораторных работ, выполняемых на современном оборудовании.

      За участие в комплексной работе «Система организации образовательных ресурсов для обеспечения прямых запросов рынка труда в кадровом сопровождении новых и быстроразвивающихся наукоемких производств» в 2012 г. заведующему кафедрой Гаврилову С.А. (в составе группы профессоров МИЭТ) была присуждена премия Правительства РФ в области образования.

      Научные исследования и разработки кафедры МФЭ.

      Группа профессора Гаврилова С.А. (д.т.н. Белов А.Н., к.т.н. Дронов А.А., к.т.н. Железнякова А.В., к.т.н. Силибин М.В.) - междисциплинарные исследования по созданию: наноразмерных кристаллов металлов, полупроводников и диэлектриков для солнечных элементов третьего поколения Nano-Solar, электронных приборов на основе углеродных нанотрубок и нитевидных нанокристаллов, наносенсоров, микро-и наноэлектромеханических систем, светоизлучающих нанокристаллических структур, самоочищающихся стекол, нанокристаллических взрывчатых веществ.

      Лаборатория профессора Громова Д.Г. (к.т.н. Редичев Е.Н., к.т.н. Антоненко К.И.) - разработка новых материалов и процессов для формирования: систем металлизации интегральных схем с нанометровыми технологическими нормами, харвестерных источников и систем накопления энергии на основе наноструктур, прозрачных проводящих покрытий, процессов и механизмов формирования наноструктур; фундаментальные исследования размерных эффектов в тонкопленочных структурах и наносистемах.

      ИКП «Электронные приборы и оборудование» (руководитель – д.т.н. Штерн Ю.И.; коллектив - Кожевников Я.С., Штерн М.Ю, Миронов Р.Е.) - создание термоэлектрических устройств для вычислительной и лазерной техники, приборов и оборудования для научных исследований, термостатов, холодильников и кондиционеров, медицинских при-боров, технологического оборудования, систем учета энергопотребления.

      Лаборатория «Неупорядоченные полупроводники» (руководитель – профессор, д.т.н. Шерченков А.А.) - исследования в области физики и технологии некристаллических систем для фотоэлектрических преобразователей энергии, разработка технологии изготовления солнечных элементов на основе фотоэлектрических ячеек, исследования в области физики и технологии материалов, перспективных для изготовления нового поколения устройств фазовой памяти.

      Лаборатория «Нанофотоника и волноводная оптика» (руководитель – к.ф.-м. н. Мельников И.В.) – исследование углеродных нанотрубок и графена для синхронизации мод фемтосекундных твердотельных лазеров с диодной на-качкой, нелинейных фотонных кристаллов для устройств оптической памяти и оптической обработки информации, волоконных лазеров (непрерывных и импульных) для использования в качестве сенсоров, оптических свойств наноразмерных спин-туннельных структур для создания устройств оптической памяти и магнитных сенсоров на их основе.

      Научная школа профессора Соколова Е.Б. (доктора наук Рыгалин Б.Н., Раскин А.А., Неустроев С.А., Смирнов В.В., кандидаты наук Прокофьева В.К., Найда Г.А.) - фундаментальные и прикладные исследования роста монокристаллов и гетероструктур функциональной электроники и солнечной энергетики.

      Лаборатория «Быстрые термические и газофазные процессы формирования пленок оксидов полупроводников» (руководитель-доцент Матына Л.И.) - исследования быстрых термических и газофазных процессов формирования пленок широко-зонных соединений и оксидов металлов с заданными свойствами.

      С 2010 г. на кафедре было выполнено более 60 НИОКР, отработано 6 грантов РФФИ (Дронов А.А., Белов А.Н., Сили-бин М.В., Громов Д.Г.), 6 грантов Президента РФ (Белов А.Н., Железнякова А.В., Силибин М.В., Дронов А.А.).

      В 2012 - 2014 гг. совместно с Технологическим университетом г. Авейро (Португалия), Университетом химической технологии и металлургии (г. София, Болгария), Брюс-сельским свободным университетом, Научно-практическим исследовательским центром НАН Беларуси (г. Минск) на кафедре МФЭ выполнялся проект «Формирование и исследование самоупорядоченных функциональных наноматериалов электрохимическими методами в неводных электролитах» (NANEL), ориентированный на создание фотоэлектрических преобразователей, магнитных и сегнетоэлектрических устройств нового поколения.

      По результатам выполненных работ было опубликовано более 115 научных статей, из них 46 - в индексируемых зарубежными базами данных изданиях. Разработки сотрудников кафедры защищены 14 патентами и 19 авторскими свидетельствами РФ.

      В ЦКП «Электронные приборы и оборудование» совместно с ЮРГУ, ОАО «Зеленоградский инновационно-технологический центр», ЗАО «Южно-Уральский инновационно-технологический центр» были разработаны и внедрены в производство системы и приборы учета энергоресурсов для строительного комплекса, вузов и объектов социально-бюджетной сферы. В настоящее время начато серийное внедрение беспроводных автоматизированных систем и приборов многоквартирного учета тепла, холодной и горячей воды, электроэнергии при строительстве многоквартирных домов типовых серий, в частности в рамках деятельности крупных застройщиков - ГК «ПИК», ОАО «Холдинговая компания ГВС-центр», ГК «Моспромстрой» и др. в ЖКХ. Разработанные решения включены в каталог новых технологий, рекомендованных для внедрения в г. Москве, согласованы с Мосэкспертизой и другими структурами, вошли в типовые проектные решения для строительства многоквартирных домов.

Данное направление деятельности кафедры МФЭ отмечено благодарностями Министерства энергетики РФ и рабочей группы Совета Федерации по мониторингу практики применения 261-ФЗ «Об энергосбережении и повышении энергоэффективности», а его результаты докладывались в октябре 2013 г. на заседании президиума Совета при Президенте РФ по модернизации экономики и инновационному развитию России, посвященном ЖКХ.

·                 Кафедра «Общая и физическая химия», в которую были включены сотрудники кафедр «Общая химия» и «Физическая химия». Возглавил кафедру д.т.н., профессор Рощин В.М.

Основной вклад в становление и развитие учебно-педагогической и научной деятельности кафедры внесли Петрова В.З., Сорокин И.Н., Гребенькова В.И., Никитина Н.Г., Шутова Р.Ф., Ермолаева А.И., Суханова Л.С., Чиликина Т.Д., Ганьшин В.А., Тельминов А.И., Коркишко Ю.Н.

Кафедра обеспечивала преподавание общеуниверситетских дисциплин «Химия» и «Экология» по всем направлениям бакалавриата. Для данных дисциплин были разработаны УМК, содержащие необходимые материалы по лекционным, семинарским и лабораторным занятиям, а также материалы для самостоятельной работы студентов. В учебный процесс включены новые на тот момент курсы «Химия окружающей среды», «Экология территорий», предусматривающие проведение цикла лабораторных практикумов «Методы и средства контроля чистоты материалов микроэлектроники и экологической безопасности объектов экосферы». В этой связи в 2002 - 2009 гг. была проведена большая работа по переоснащению кафедры новейшим аналитическим оборудованием, обеспечивающим проведение лабораторных занятий по всем актуальным разделам экологических дисциплин. Преподавателями кафедры проводилась постоянная модернизация содержания лекционных курсов и лабораторных практикумов в соответствии с повышающимися требованиями по подготовке высокопрофессиональных специалистов, востребованных как государственными структурами, так и крупными предприятиями и малым бизнесом.

Преподаватели кафедры начали активное сотрудничество со школами и гимназиями Зеленограда, Московской и Тверской областей. Основная цель - это популяризация химии как науки о превращениях в окружающем нас мире и привлечение внимания молодого поколения к экологическим аспектам современного наукоемкого производства и сохранению среды обитания человека для будущего.

Преподаватели кафедры проводят мероприятия для учащихся:

- лекции и лабораторные работы по химии, организуемые на кафедре и в школах при содействии учителей химии;

- обзорные экскурсии и практические занятия по химии и экологии на кафедре;

- участие в ежегодной региональной конференции «Творчество юных» и руководство секцией «Химия и экология»;

- тематические встречи преподавателей кафедры со школьниками и родителями.

Проводимая на кафедре ОФХ профориентационная работа способствует приобщению учащихся к творчеству, позволяет укрепить связь между высшим и средним образованием, выявляет школьников, наиболее способных и подготовленных для обучения в МИЭТ.

Исследования кафедры ОФХ проводились по следующим направлениям:

·         физикохимия наногетерогенных систем (руководитель – д.т.н., профессор Рощин В.М.). Работы включали проведение фундаментальных исследований, выполнение прикладных НИР и ОКР по процессам структуро- и фазообразования в некристаллических и нанокристаллических материалах и пленках, низкотемпературному синтезу активных диэлектрических материалов, формированию и исследованию свойств наноразмерных периодических структур на основе металлов и диэлектриков, синтезу наноразмерных углеродных структур и покрытий. Проводятся также исследования по физикохимии и кинетике взаимодействия низкотемпературной плазмы металлов с поверхностью полупроводниковых и диэлектрических материалов;

·         моделирование термодинамических свойств полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также получение материалов с заданными свойствами (руководитель – д.х.н., профессор Павлова Л.М.);

·         разработка перспективных бинарных и тройных металлических систем для технологий микро- и наноэлектроники, в том числе получение и исследование свойств омических материалов для flip-chip монтажа и технологии 3D-TSV (руководитель – к.х.н., доцент Михайлова М.С.);

·         термодинамические свойства и кинетика синтеза нанодисперсных алмазных порошков (руководитель – к.х.н., доцент Поярков К.Б.);

·         разработка сенсорных структур для анализа технологических и природных сред на присутствие различных газов и паров (водород, монооксид углерода, аммиак, диоксид азота, метан, вода, углеводороды); исследование термодинамиче- ских аспектов процессов взаимодействия частиц с поверхностью (руководитель – к.х.н., доцент Борисов А.Г.);

·         разработка процессов локального электрохимического осаждения бинарных и тройных сплавов из водных и неводных электролитов (руководитель - ст. преподаватель Петухов И.Н.);

·         разработка составов и технологий производства стекловидных многокомпонентных диэлектриков с заданными свойствами для подложек, корпусов, межслойной и межкомпонентной изоляции (руководители – к.т.н., профессор Гребенькова В.И., к.т.н., доцент Шутова Р.Ф.);

·         физикохимия и технология органических пьезоэлектрических материалов (руководитель - д.ф.-м.н. Солнышкин А.В.);

·         разработка методик и аппаратурной реализации контроля параметров материалов и сред (руководители – к.т.н., доцент Осипенкова Н.Г., к.т.н., доцент Ильяшева Е.В.);

·         исследование термодинамических характеристик фазовых переходов в мно- гокомпонентных и наноструктурированных системах (руководитель - ст. преподаватель Шиляева Ю.И.).

Научно-педагогический коллектив кафедры - это творческий союз единомышленников, решающих сложные профессиональные задачи в педагогических, научных и прикладных областях.

2017 г.

Образован Институт перспективных материалов и технологий (ПМТ). Научно-педагогический коллектив Института ПМТ возглавил д.т.н., профессор Сергей Александрович Гаврилов - ученый в области фихикохимии композиционных материалов и нанотехнологий.

С 2008г. по 2024 г. занимал должность проректора по научной работе Национального исследовательского университета «МИЭТ». Член Совета по профессиональным квалификациям в наноиндустрии (с 2022г.), заместитель председателя научно- технологического совета РНФ, член экспертного совета Высшей аттестационной комиссии при Министерстве науки и высшего образования Российской Федерации по электронике, измерительной технике, радиотехнике и связи. Лауреат премии Правительства РФ в области образования.

Автор и соавтор 470 научных работ, из них 24 патента на изобретения и авторских свидетельств, 10 учебников и учебных пособий по тематикам: электрохимическая обработка материалов электронной техники, наноэлектроника, сенсорика, нанофотоника. Подготовил 1 доктора наук и 11 кандидатов наук.

По настоящее время Институт ПМТ НИУ МИЭТ осуществляет подготовку специалистов на всех уровнях обучения: бакалавриат, магистратура, аспирантура.

Институт ПМТ проводит обучение бакалавров и магистров по различным направлениям подготовки:

-     Наноматериалы

-     Материаловедение и технология материалов

-     Техносферная безопасность

-     Электроника и наноэлектроника

Каждое из направлений отличается своей специализацией и обеспечивает подготовку специалистов для высокотехнологичных производств и исследовательских лабораторий, работающих в области создания материалов, технологий и устройств интегральной фотоники и лазерной оптики, высокучувствительной сенсорики и биосенсорики, электроники и наноэлектроники, систем генерации и хранения энергии, техносферной безопасности.

      Программы магистратуры заточены под требования ключевых партнеров института: программы «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и «Материалы и технологии функциональной электроники» в рамках направления «Электроника и наноэлектроника» и программа «Инженерия наноматериалов для сенсорики» в рамках направления «Наноматериалы» готовят специалистов для ПАО Микрон, ПАО Ангстрем, АО НИИМЭ, НПК Технологический центр, АО ЭСТО и многих других.

    Также студенты и выпускники этих программ ведут свою научную деятельность в    сфере разработки высокочувствительных платформ для диагностики заболеваний, мембран для очистки биологических жидкостей, безопасных и высокоемких аккумуляторов, систем очистки воды и газов, фотокатализаторов для получения водородного топлива. С 2023 года реализуется программа подготовки «Синхротронное излучение в технологии наноматериалов» для специализированного источника синхротронного излучения ТНК «Зеленоград».

Миссия Института заключается в развитии современной научно - образовательной среды для подготовки кадров, генерации и трансфера новых знаний в области перспективных материалов и технологий, а также обеспечение профессионального развития кадров, на основе вовлечения обучающихся и научно- технических работников в научную и инновационную деятельность.

Более 15 лабораторий ПМТ оснащено современным технологическим и исследовательским оборудованием для реализации учебного процесса и проведения научных исследований.

2022 г.

Создана молодежная научно- исследовательская лаборатория «Материалы и устройства активной фотоники» (НИЛ МУФ). НИЛ МУФ разрабатывает и исследует перспективные материалы и энергонезависимые быстродействующие реверсивно реконфигурируемые элементы и интегральные фотонные схемы на их основе. Средний возраст сотрудников – 27 лет, в число сотрудников входят студенты бакалавриата. Руководитель – к.т.н. Лазаренко П.И.

2023 г.

Открыт учебный – исследовательский комплекс по направлению « Техносферная безопасность». Комплекс оснащен 18 современными лабораторными стендами («Вентиляция воздуха», « Загазованность и запыленность», «Тепловые излучения», «Газовые выбросы» и др), с применением новейших информационных технологий, как для проведения практических занятий в рамках дисциплин, так и для научно- исследовательской деятельности

2024 г.

·                 Создана научно- исследовательская лаборатория «Термоэлектрические материалы и системы» (НИЛ ТМС). Лаборатория занимается разработкой эффективных термоэлектрических материалов, которые используются в различных приборах и системах, работающих на эффектах Пельтье и Зеебека. Средний возраст сотрудников – 31 год, в число сотрудников входят студенты бакалавриата. Руководитель – д.т.н. Штерн М.Ю.

·                 Создана молодежная научно- исследовательская лаборатория «Фотонной сенсорики и плазмонных материалов» (НИЛ ФСПМ).. Лаборатория разрабатывает и исследует физико- технологические процессы создания планарных фотонных сенсоров и развитие принципов формирования новых наноматериалов для наноэлектроники и нанофотоники. Средний возраст сотрудников – 26 лет, в число сотрудников входят студенты бакалавриата. Руководитель – к.т.н. Дубков С.В.

В сентябре 2024 года директор института ПМТ Гаврилов Сергей Александрович назначен и.о. ректора МИЭТ.

Заместитель директора по научной деятельности института ПМТ к.т.н Дронов Алексей Алексеевич назначен проректором по научной работе НИУ МИЭТ.

В 2025 г – Гаврилов С.А. избран ректором НИУ МИЭТ

С сентября 2024 г Институт перспективных материалов и технологий возглавил начальник научно- исследовательской лаборатории «Фотонной сенсорики и плазмонных материалов», к.т.н. Дубков Сергей Владимирович - специалист в области функциональных наноматериалов, низкоразмерных систем, наноэлектроники и сенсорики.

Автор более 130 научных трудов, в т.ч. 17 патентов на изобретение и свидетельств на полезную модель, 4 свидетельств регистрации программы для ЭВМ.