Научно-исследовательская лаборатория «Разработка технологий нано- и микросистемной техники»

О нас Научно-инновационная деятельность Сотрудники Оборудование

Научно-исследовательская лаборатория «Разработка технологий нано- и микросистемной техники» (НИЛ РТ) является структурным подразделением Научно-технологического центра «Нано- и микросистемной техники» (НТЦ НМСТ) при Национальном исследовательском университете «МИЭТ».

Деятельность лаборатории посвящена разработке технологических процессов и маршрутов изготовления МЭМС и датчиков различного назначения с использованием технологического, измерительного и аналитического оборудования НТЦ НМСТ.

Разработка технологических процессов и маршрутов изготовления МЭМС и датчиков различного назначения с использованием технологического, измерительного и аналитического оборудования НТЦ НМСТ.

Датчики с низкой температурной чувствительностью, например, датчики магнитного поля разрабатываются в конструктивном исполнении с расположением чувствительных элементов на поверхности кремниевых пластин. Сенсоры на базе датчиков с высокой температурной чувствительностью, такие как измерители расходов жидкостей и газов, разрабатываются с применением технологии изготовления мембранных носителей.

Чувствительность инерционных датчиков или переключателей зависит от рабочей атмосферы или требует применения вакуума. С той целью используется оборудование для бондинга пластин в контролируемой газовой среде или вакуума.

Разрабатываемые процессы и технологические маршруты предусматривает привязку к технологии формирования ИС считывания и обработки сигналов датчиков.

Специальное оборудование для технологии МЭМС:

бoндинг SUSS SB6;
плазменное травление жертвенного окисла PrimaxxMonarch 3;
установка селективного изотропного травления кремния Xactix;
установка магнетронного напыления металлов Магна-ТМ-003;
установка магнетронного напыления многослойных магнитных и диэлектрических пленок ATC-22000-UHV;
низкотемпературное осаждение диэлектриков NovellusConceptOne;
установка атомно-слоевого осаждения ALDPicosun;
установка ионно-лучевого травления материалов Nano-Master.

Сотрудники

График работы начальника лаборатории: понедельник-пятница, 9:00-18:00

Сведения о персональном составе работников:

ФИО	Должность	Ученая степень, ученое звание
Виталий Иосифович Золотарев	начальник лаборатории	к.т.н.
Елена Анатольевна Гелашвили	инженер-тополог
Дмитрий Владимирович Новиков	младший научный сотрудник
Константин Иванович Баринов	инженер-тополог
Евгений Эдуардович Гусев	инженер

Оборудование


Технологический комплекс жидкостного травления и химической обработки кремния SCR Mercury Style
Кол-во обрабатываемых пластин диаметром 150 мм в одной ванне	50 шт.
Максимальный нагрев	170 °C
Точность поддержания температуры	±3 °C
Скорость протока нагретой воды при температуре 60°C	10 л/мин
Привнесение металлических примесей (Fe, Cu, Zn, Ni, Cr, K, Na, Ca)	< 2×1010 см-2
Скорость замены емкостей	не более 10 мин
Дефектность (> 0,3 мкм)	< 0,1л-3


Технологический комплекс фотолитографии и оптического контроля EVG 150
Макс. размер пластин	150 мм
Макс. площадь подложки размером (длина края)	150 мм
Макс. число вращательных модулей	4
Макс. число дополнительных модулей (горячие пластины, холодные пластины, паровые модули)	18
Распыляющее покрытие:
Программируемые параметры сопла	Скорость (об / мин), ускорение (об / мин/s), абсолютное позиционирование, остановка позиционирования, дозирование по образцу
Вращающий модуль с впрыскивающим покрытием:
Привод	до 10.000 об/мин, увеличение скорости до 40.000
Макс. температура подложки	350 °C
Автоматические опции:
Насосы для фоторезиста при вращении
Для наносимого фоторезиста вязкость	до 50000 сР
Наличие программируемых элементов для обеспечения лучшей однородности нанесения	да
До 15мл дозировки, объем до 5 мл/с дозировки
Насосы для фоторезиста при распылении
Точное управление потоком 10 мкл/с до 200 мкл /с при низкой вязкости фоторезиста


Технологический комплекс групповой сборки кристаллов и соединения пластин Suss Microtech Substrate bonder SB6
Реализация технологического процесса микромеханической сборки или склейки пластин	да
Склеивание пластин при температурах от 50С до 550С с точностью ±5С и однородностью в ±3%
Верхний и нижний нагрев образцов	да
Диапазон давлений для среды склеивания с азотом	от 10^-6 торр до атмосферного с азотом
Размер образца	куски подложек до 6” совмещенных при помощи модуля MA/BA-6
Анодное сращивание	до 2000 В
ПО	на базе Windows

Технологический комплекс напыления тонких пленок металлов SEGI-RFA3-4TR

Реализация технологического процесса напыления тонких пленок металлов.
Установка позволяет проводить следующие операции: магнетронное напыление пленок Al, AlSi, AlCu, Ti, TiN, Ni и проведение предварительной ионной зачистки в плазме аргона.
Базовая платформа оснащена шлюзовой камерой на одну кассету для пластин диаметром 150 мм. Установленный робот манипулятор транспортной камеры обеспечивает быстрое и точное перемещение пластин между камерами кластера.


Технологический комплекс термических процессов (диффузия и окисление) SVCS SVFUR-AH4
Сухое окисление, формирование затворного окисла (gate oxide) с применяемыми газами H2, O2, N2, DCE при максимальной рабочей температуре, 1125°С. Вжигание Al при максимальной рабочей температуре, 300-600°С применяемыми газами N2, H2.
Рабочая температура сухого окисления	950 °С
Толщина слоя	0,07 нм
Однородность по пластине	не хуже ±3%
Однородность по загрузке	не хуже ±3%
Однородность по процессу	не хуже ±3%
Коэффициент преломления	1,46 ± 0,02
Привносимая дефектность (количество частиц размером > 0,3мкм)	< 0,05 см-2


Технологический комплекс пиролитических процессов и плазмостимулированного осаждения материалов SVCS SVFUR-LH4
Технологический процесс глубокого анизотропного травления кремния (Bosh - процесс):
Загрузка	1 шт
Глубина травления	до 400 мкм
Максимальная скорость травления	до 50 мкм/мин (1% площади вскрытия)
Средняя скорость травления	до 20 мкм/мин (20% площади вскрытия)
Минимальная неровность края стенок	не более 20 нм
Однородность по пластине	не хуже ±2%
Профиль травления	89° – 92°
Селективность к фоторезисту	> 55:1
Подтрав под маску при глубине травления до 300 мкм	~ 2 мкм
Аспектное отношение	до 20:1
Привносимая дефектность (количество частиц размером >0,3мкм)	<0,05 см-2
Технологический процесс травления диэлектрических слоев (SiO2):
Загрузка	1 шт
Скорость травления	до 700 нм/мин
Толщина слоя	до 3 мкм
Однородность по пластине	не хуже ±3%
Профиль травления	90°
Селективность к легированному кремнию и поликремнию	до 15:1
Селективность к фоторезистам	до 4:1
Привносимая дефектность (количество частиц размером >0,3мкм)	< 0,05 см-2
Технологический процесс травления поликристаллического кремния:
Загрузка	1 шт
Скорость травления (>50% площади вскрытия)	до 300-500 нм/мин
Толщина слоя	до 300-600 нм
Однородность по пластине	не хуже ±3%
Профиль травления	90°
Селективность к SiO2	не менее 30
Селективность к фоторезистам	до 3:1
Уход размера по маске	< 30 нм
Привносимая дефектность (количество частиц размером > 0,3мкм)	< 0,05 см-2

Научно-исследовательская лаборатория «Разработка технологий нано- и микросистемной техники»

Сотрудники

Оборудование

Полезные ссылки