Разработка технологии производства ИК-фотоприёмных матричных модулей на базе гетероструктурных полупроводников
Руководитель проекта: к.т.н. Владимир Ильич Егоркин
Проект завершен в 2021 году.
Ответственный исполнитель: Алексей Александрович Зайцев, Ziko27@yandex.ru, +79067075871
Назначение продукта
Технология предназначена для изготовления ИК-фотоприёмных матриц диапазона 1,5 мкм и ИК-фотоприёмных устройств (матрица со схемой обработки) на основе гетероструктурных соединений широкозонных полупроводников
Краткое описание продукта
1) Технологическая документация на производство ИК–матрицы фотоприёмника 512х625 пикселей.
2) Технологическая документация на сборку ИК-фотоприёмного модуля 516х625 пикселей.
|
Технология Характеристика |
Разрешающая способность (пиксель) |
Интегральная чувствительность ( А\Вт ) |
Спектральная чувствительность, мкм |
|
Технология ЦК |
640х512 |
1.4 |
0,9-1.65 |
Преимущества проекта: технология предназначена для изготовления устройств на основе гетероструктурных полупроводников A3B5, что позволяет достичь высоких рабочих характеристик.
Текущая стадия проекта:
Проект завершен в 2021 году. Разработана технология формирования кристалла ИК фотоприёмных матричных модулей на гетероструктурах на основе фосфида индия. Разработанные технологические операции позволяют формировать матрицу 516x625 пикселей с периодом 20 мкм. В рамках работ был создан образец ИК фотоприёмной матрицы со спектральной чувствительностью в диапазоне длин волн 0,9–1,65 мкм и интегральной чувствительностью более 1,4 А/Вт, что на 55% выше по сравнению с аналогами, выпускающимися в России. Большее число пикселей позволит увеличить разрешение формируемых изображений. В рамках коммерциализации проекта разработанный в результате выполнения проекта комплект технологической документации на производство матрицы ИК фотоприемника и сборки ИК фотоприёмного модуля 512x625 пикселей был передан участнику консорциума АО «ЗНТЦ» для внедрения в производство.
